基本情况
杨剑之，男，汉族，中共党员，现任北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院/大科学装置研究院副研究员，硕士研究生导师。
主要研究方向：可穿戴脑磁功能成像、脑机接口、主被动磁屏蔽技术。
电子邮箱：yangjianzhi@buaa.edu.cn
学习和工作经历
2026年3月至今，北京航空航天大学大科学装置研究院，副研究员，硕士研究生导师；
2023年12月～2026年3月，北京航空航天大学大科学装置研究院，卓越师资博士后（助理教授岗）；
2019年9月～2023年11月，北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院，精密仪器及机械，博士；
2016年9月～2019年4月，南京航空航天大学航空学院，机械设计及理论，硕士；
2012年9月～2016年6月，南京师范大学，机械工程及自动化，学士。
科研工作经历
（1）针对自然行为范式下脑磁成像运动伪影干扰问题，基于多自由度磁场调控方法，开展脑磁运动伪影抑制方法研究，并围绕多感觉刺激诱发的脑电/脑磁响应，开展神经编码机制解析、脑状态表征与脑机接口解码方法研究。
（2）针对零磁装置内剩磁及磁噪声较高问题，开展主动磁补偿系统设计及优化方法研究，提出率铁磁边界下双平面线圈设计方法，有效抑制高磁导磁屏蔽材料对磁补偿效果的影响，提高心脑磁成像信噪比。
（3）针对磁平衡过程中屏蔽材料损耗特性导致静态屏蔽性能降低的问题，开展磁化状态调控方法研究，基于无磁滞磁化曲线对磁平衡波形参数进行优化，并提出了基于磁振的磁滞损耗抑制方法，有效提升了零磁装置的屏蔽性能。
科研成果与项目
以第一/通讯作者在IEEE Transactions on Industrial Electronics、IEEE Transactions on Industrial Informatics、Measurement等国际期刊发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利20余项，主持国家自然科学基金青年科学基金（C类）、博士后创新人才支持计划，博士后面上项目。
